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分立半导体
STW48N60DM2参考图片

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STW48N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
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数量单价合计
1
¥59.4719
59.4719
10
¥53.7089
537.089
25
¥51.2568
1281.42
100
¥44.4881
4448.81
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW48N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
131 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW48N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF157
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:42347
Q6010N5TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 600V 10A 50-50-50mA
1:¥20.3626
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.30
1,000:¥9.2999
参考库存:42352
VS-150UR60D
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 150 Amp
25:¥256.6456
50:¥248.5774
100:¥240.5883
250:¥224.5988
参考库存:42357
SBR1A30T5-7
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBR Diode
1:¥3.6838
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.91417
参考库存:18962
TPC6503(TE85L,F,M)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:42364
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