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分立半导体
DMT10H015LFG-7参考图片

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DMT10H015LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格，DMT10H015LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPG06DHE3_A/53
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A,200V,MINI-PLASTIC RECT.
18,000:¥0.83733
27,000:¥0.7684
参考库存:41379
SI4413ADY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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2,500:¥7.458
5,000:¥7.1755
10,000:¥6.9043
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1N4006-E3/53
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6,500:¥3.1301
13,000:¥3.0171
19,500:¥2.9154
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STL11N65M2
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MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥6.667
6,000:¥6.4184
9,000:¥6.1698
参考库存:41399
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