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分立半导体
STGB20NC60V参考图片

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STGB20NC60V

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT
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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.9783
179.783
100
¥15.594
1559.4
250
¥14.8256
3706.4
1,000
¥11.2209
11220.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NC60V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
4.6 mm
长度
8.5 mm
宽度
15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A, 60 A
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NC60V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1,000:¥18.5998
2,000:¥17.6732
5,000:¥16.9839
参考库存:43844
分立半导体
JFET 50V Current Reg 50mA 360mW 5.3 If
103:¥63.5512
500:¥57.9351
1,000:¥50.4884
参考库存:43849
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥657.3662
5:¥636.1561
10:¥616.2568
25:¥587.5209
参考库存:43854
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diodes - DO4 BRAZ SQR-e3
1:¥87.0552
10:¥78.3768
25:¥71.3821
100:¥64.4665
参考库存:43859
分立半导体
分立半导体模块 800 Volt 95 Amp 2094 Amp ITSM
1:¥360.5378
5:¥350.9328
10:¥337.3276
25:¥311.9704
参考库存:43864
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