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分立半导体
CSD19502Q5B参考图片

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CSD19502Q5B

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-CH 3.4mOhm 80V Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥17.6732
17.6732
10
¥15.0629
150.629
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.5316
5265.8
2,500
¥8.0682
20170.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19502Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
88 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
134.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD19502Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52B6V2-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.5W 2%
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.9379
500:¥0.79891
3,000:¥0.47686
6,000:查看
参考库存:13029
M505015FV
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 50A 1200V SCR CC MODULE POWER
1:¥876.5184
10:¥834.7084
25:¥815.8148
50:¥796.8308
参考库存:3771
MMSZ5227C-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 2%
1:¥2.5312
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
3,000:¥0.43053
6,000:查看
参考库存:15448
IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.4307
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5265
BTA26-800BWRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 25 Amp 800 Volt
1:¥35.1204
10:¥29.8885
100:¥25.8996
250:¥24.5888
参考库存:6752
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