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分立半导体
FDG332PZ参考图片

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FDG332PZ

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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.02943
3088.29
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
750 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG332PZ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,FDG332PZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥91.2814
10:¥82.1397
25:¥74.8399
100:¥67.5401
参考库存:4567
分立半导体
整流器 1.5A 1000V
1:¥5.4579
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
3,000:¥1.7741
6,000:查看
参考库存:61404
分立半导体
MOSFET SSOT-6 P-CH -20V
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
参考库存:4721
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR
1:¥5.0737
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:28313
分立半导体
IGBT 模块 1200V 50A Dual
1:¥443.8301
5:¥435.6828
10:¥417.7045
25:¥404.6417
参考库存:4410
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