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分立半导体
ZXMP6A17GQTA参考图片

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ZXMP6A17GQTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm
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1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMP6
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
4.7 S
下降时间
11.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26.2 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ5.1D5E3/TR12
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4,000:¥5.0059
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