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分立半导体
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IPW65R190C7XKSA1

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数量单价合计
1
¥26.4307
26.4307
10
¥22.5096
225.096
100
¥19.5151
1951.51
250
¥18.5207
4630.175
500
¥16.5997
8299.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
168 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
IPW65R190C7 SP001080142
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW65R190C7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA115ECA-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
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4,000:¥5.0059
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