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分立半导体
TPH8R008NH,L1Q参考图片

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TPH8R008NH,L1Q

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
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数量单价合计
5,000
¥4.9155
24577.5
10,000
¥4.7234
47234
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Qg-栅极电荷
35 nC
Pd-功率耗散
61 W
配置
Single
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH8R008NH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPH8R008NH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZB784-C7V5,115
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