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分立半导体
IRFHM8363TRPBF参考图片

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IRFHM8363TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
4,000
¥2.5538
10215.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
16.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
94 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001565948
单位重量
33 mg
商品其它信息
优势价格,IRFHM8363TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.5 Amp 1000 Volt
1:¥3.3787
10:¥2.3278
100:¥1.5707
500:¥1.2656
1,000:¥0.94468
1,800:¥0.94468
参考库存:316605
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:50357
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0792
参考库存:33062
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40 Volt 3.0 Amp 75 AMP IFSM
1:¥4.1471
10:¥2.825
100:¥1.9097
500:¥1.5368
1,800:¥1.05316
3,600:查看
参考库存:45679
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:81636
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