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分立半导体
HER306G-G参考图片

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HER306G-G

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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥4.5878
45.878
100
¥3.2092
320.92
1,200
¥2.3617
2834.04
2,400
¥2.0001
4800.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
整流器
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
DO-27
Vr - 反向电压
600 V
If - 正向电流
3 A
类型
Fast Recovery Rectifiers
配置
Single
Vf - 正向电压
1.3 V
Ir - 反向电流
5 uA
恢复时间
75 ns
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HER30-G
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
Rectifiers
商标
Comchip Technology
产品类型
Rectifiers
工厂包装数量
1200
子类别
Diodes & Rectifiers
单位重量
844 mg
商品其它信息
优势价格,HER306G-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥6.9156
10:¥5.876
100:¥4.5087
500:¥3.9889
1,000:¥3.1527
2,500:¥3.1527
参考库存:19846
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
暂无价格
参考库存:44900
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
800:¥6.9156
参考库存:44905
分立半导体
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥405.7943
5:¥396.7204
10:¥378.5952
25:¥362.6848
参考库存:44910
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4
1:¥607.262
5:¥589.5888
10:¥576.9893
25:¥552.7056
250:¥490.081
参考库存:44915
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