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分立半导体
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IRFB3006GPBF

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数量单价合计
1
¥23.2102
23.2102
10
¥19.7524
197.524
100
¥17.1308
1713.08
250
¥16.2155
4053.875
500
¥14.5205
7260.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
270 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
200 nC
Pd-功率耗散
375 W
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001577692
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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