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分立半导体
C2M0045170D参考图片

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C2M0045170D

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
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数量单价合计
1
¥670.0448
670.0448
100
¥644.3034
64430.34
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.7 kV
Id-连续漏极电流
72 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 5 V
Qg-栅极电荷
188 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
21.7 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
65 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,C2M0045170D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
3,000:¥2.7007
参考库存:28939
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 1.0W 10%
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,500:¥1.6724
4,500:查看
参考库存:28944
分立半导体
整流器 8.0A 300 Volt 35ns 110 Amp IFSM
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
参考库存:28949
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
1:¥3.9211
10:¥3.2883
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
参考库存:28954
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥7.0738
10:¥5.9212
100:¥3.8307
1,000:¥3.0623
3,000:¥3.0623
参考库存:21034
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