您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
CSD85301Q2T参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

CSD85301Q2T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET Dual N-Channel NexFET Pwr MOSFET
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:12,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.842
38.42
100
¥2.4634
246.34
250
¥2.4634
615.85
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD85301Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
9.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85301Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC
1:¥2,314.4999
5:¥2,258.7909
参考库存:1432
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600V Vrm 3A Io Std Fast Rec Diode
2,500:¥3.4013
参考库存:49924
分立半导体
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
2,500:¥2.5764
参考库存:74409
分立半导体
肖特基二极管与整流器 0603 40V 0.2A
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
3,000:¥0.48364
9,000:查看
参考库存:73866
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:347118
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号