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分立半导体
STO36N60M6参考图片

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STO36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 29 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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数量单价合计
1
¥36.1939
36.1939
10
¥30.736
307.36
100
¥26.668
2666.8
250
¥25.2781
6319.525
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-LL-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
STO33N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
商品其它信息
优势价格，STO36N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84C20VLFHT116
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 18.8-21.2V 250mW SOT-23 5mA
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:43635
TK8A60W5,S5VX
Toshiba
分立半导体
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥13.5261
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6162
参考库存:3707
SBR1040CTB
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 40V
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
参考库存:4244
2PC4081S,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:55171
DFLZ12-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 1W, 50mA, 12.0V
1:¥4.6895
10:¥2.6555
100:¥1.5481
500:¥1.2656
2,500:¥0.79891
10,000:查看
参考库存:16238
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