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分立半导体

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DMN1003UCA6-7

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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.9212
59.212
100
¥3.8307
383.07
1,000
¥3.0623
3062.3
3,000
¥3.0623
9186.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X3-DSN3518-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
23.6 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms, 2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
56.5 nC, 56.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.67 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6208 ns, 6208 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1694 ns, 1694 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47479 ns, 4747 ns
典型接通延迟时间
603 ns, 603 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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