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分立半导体
C3M0120100J参考图片

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C3M0120100J

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
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数量单价合计
1
¥67.235
67.235
100
¥64.6247
6462.47
500
¥61.472
30736
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
15 V, - 4 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
7.7 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，C3M0120100J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PS74SB23,125
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:16643
GL41B-E3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1639
1,500:¥0.79891
4,500:查看
参考库存:11205
IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
1:¥6.3054
10:¥5.2884
100:¥3.4126
1,000:¥2.7233
4,000:¥2.7233
参考库存:18977
DMN2005LPK-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 20V 200mA
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:24039
FDMA8884
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
参考库存:24836
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