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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	21.7 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	45 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	45 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-20
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132528

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TGF2080	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%	100:¥74.8399 300:¥69.9244 500:¥65.3931 1,000:¥61.0878	参考库存:35315
AFT26HW050SR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4	1:¥607.262 5:¥589.5888 10:¥576.9893 25:¥552.7056 250:¥490.081	参考库存:35320
PTRA094808NF-V1-R5	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier	500:¥853.9975	参考库存:35325
HFA3127BZ96	Renesas / Intersil	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL	2,500:¥40.4201	参考库存:35330
ARF466BG	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥372.7531 2:¥362.6057 5:¥352.5374 10:¥342.4804	参考库存:2025