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射频晶体管
BFS 17S H6327参考图片

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BFS 17S H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.8702
28.702
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥1.00683
3020.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFS17
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
1.3 GHz
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS17SH6327XT BFS17SH6327XTSA1 SP000750448
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，BFS 17S H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2212UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
50:¥441.0616
100:¥428.9254
参考库存:38541
D1014UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz SE
50:¥462.1926
100:¥449.4349
参考库存:38546
UML3
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 225-400MHz Pout = 3W
1:¥363.069
5:¥349.622
参考库存:38551
AFT09S200W02NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
1:¥798.6727
5:¥783.1578
10:¥757.3373
25:¥725.2905
250:¥650.2924
参考库存:38556
PD20010-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥139.5437
10:¥128.3228
25:¥123.0231
100:¥108.3444
参考库存:6551
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