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射频晶体管

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NESG2101M05-EVPW24-A

  • Renesas Electronics
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  • 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp. and Oscillator
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
类型
RF Silicon Germanium
商标
Renesas Electronics
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NESG2101M05-EVPW24-A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:5929
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:38906
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:92701
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
参考库存:38913
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing
6,000:¥0.30736
9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:38918
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