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射频晶体管
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2N5643

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数量单价合计
1
¥576.30
576.3
10
¥480.25
4802.5
25
¥432.225
10805.625
50
¥384.20
19210
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
MT72
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
200 MHz
Pd-功率耗散
60 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，2N5643的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T23H300W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥737.664
5:¥724.1379
10:¥691.56
25:¥668.508
100:¥622.4831
150:¥570.3788
参考库存:5513
D1201UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥379.7478
参考库存:38155
BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.0736
100:¥1.8758
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.2317
参考库存:31055
PXAD214218FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,159.2105
参考库存:38162
QPD1014SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:5142
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