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射频晶体管
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AFT31150NR5

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
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数量单价合计
1
¥1,566.5416
1566.5416
5
¥1,531.5794
7657.897
10
¥1,500.2219
15002.219
25
¥1,478.0965
36952.4125
50
¥1,424.3876
71219.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2700 MHz to 3100 MHz
系列
AFT31150N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
741 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935346512578
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格，AFT31150NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09H310-03SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
150:¥1,030.3453
参考库存:38807
AGR19045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:38812
AFV141KGSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
50:¥3,786.4492
参考库存:38817
ARF465BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:5522
PD85035STR1-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
600:¥181.8057
参考库存:38824
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