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射频晶体管
MRF8S18210WGHSR3参考图片

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MRF8S18210WGHSR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
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库存:34,651(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥774.6263
193656.575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
增益
20 dB
输出功率
50 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NO-880XS-Gull-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1805 MHz to 1995 MHz
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
零件号别名
935310994128
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,MRF8S18210WGHSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
9,000:¥0.80682
参考库存:48917
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-500MHz SE
50:¥390.1212
100:¥379.3636
参考库存:37384
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,574.5307
2:¥1,536.6418
5:¥1,514.1322
10:¥1,492.6961
参考库存:4039
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥572.1529
参考库存:4136
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:37393
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