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射频晶体管
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SD1407

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库存:7,519(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥530.196
530.196
10
¥441.83
4418.3
25
¥397.647
9941.175
50
¥353.464
17673.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1407的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:36653
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
500:¥214.7678
参考库存:4798
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
1:¥22.4418
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:57755
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1016H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,730.9792
5:¥1,692.401
10:¥1,657.7439
25:¥1,633.3133
50:¥1,573.9883
参考库存:36662
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:3577
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