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射频晶体管
MRF6VP3091NR5参考图片

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MRF6VP3091NR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
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数量单价合计
1
¥837.782
837.782
5
¥821.4987
4107.4935
10
¥794.3674
7943.674
25
¥760.7951
19019.8775
50
¥750.3426
37517.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
115 V
增益
21.8 dB
输出功率
18 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
0.47 GHz to 0.86 GHz
系列
MRF6VP3091N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935314619578
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格，MRF6VP3091NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD2731SR
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
100:¥925.1536
参考库存:35436
MMBT2907A-G
Comchip Technology
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
1:¥1.8419
10:¥1.1978
100:¥0.54579
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:28896
MRF464
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:35443
BFQ18A,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
1:¥7.684
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
参考库存:18518
QPD1008L
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:2210
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