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射频晶体管
QPD2731SR参考图片

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QPD2731SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
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数量单价合计
100
¥925.1536
92515.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16.3 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
316 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2731EVB1.0
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD2731SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175HMz SE
1:¥431.8408
10:¥381.1264
25:¥343.859
50:¥331.7906
参考库存:37325
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
1:¥607.9626
5:¥596.7417
10:¥581.2946
25:¥569.9268
参考库存:4145
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
500:¥197.0946
参考库存:37332
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:37337
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:16637
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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