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射频晶体管
D5013UK参考图片

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D5013UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-500MHz SE
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库存:36,766(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥392.7315
19636.575
100
¥386.5052
38650.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
13 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D5013UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
参考库存:229186
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,120.8631
参考库存:37578
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
1:¥30.51
10:¥27.9675
25:¥25.4363
100:¥22.8938
1,000:¥17.1308
参考库存:14008
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥751.4952
2:¥728.2172
5:¥727.9799
10:¥704.5437
参考库存:4235
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:26917
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