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射频晶体管
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D2294UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 15W-12.5V-500MHz SE
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
15 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
24.77 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.84 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2294UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLW96
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,283.228
5:¥1,279.386
参考库存:3778
AFT18P350-4S2LR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
150:¥1,151.7525
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LET9045TR
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
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BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:24850
MMBTH10-TP
Micro Commercial Components (MCC)
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射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.69947
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:23537
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