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射频晶体管

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MRF587

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数量单价合计
1
¥645.456
645.456
10
¥537.88
5378.8
25
¥484.092
12102.3
50
¥430.3831
21519.155
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Case244-04
封装
Tray
工作频率
500 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF587的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY73092-EVB
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:34603
A2T27S007NT1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S007N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1,000:¥46.33
2,000:¥44.6463
参考库存:34608
BLV57
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,289.9854
10:¥1,183.7202
25:¥1,062.313
50:¥940.9058
参考库存:1248
PD55008TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
参考库存:34615
SD2931-11W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:34620
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