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射频晶体管

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MX0912B351Y

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数量单价合计
1
¥3,510.8196
3510.8196
2
¥3,221.517
6443.034
5
¥2,891.331
14456.655
10
¥2,560.693
25606.93
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Bulk
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MX0912B351Y的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
1:¥1,056.55
参考库存:36434
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
1:¥2,904.6311
5:¥2,859.9848
10:¥2,817.4177
25:¥2,756.635
50:¥2,714.2939
参考库存:36439
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
1:¥4,367.6647
5:¥4,300.5088
10:¥4,236.4943
25:¥4,145.0547
50:¥4,081.3566
参考库存:3064
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
1:¥150.3013
10:¥138.1538
25:¥132.0857
50:¥124.4017
500:¥100.8186
参考库存:4776
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 70Watt Gain @ P1dB 18.25dB
1:¥522.512
5:¥479.4816
10:¥430.304
25:¥381.1264
参考库存:36448
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