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射频晶体管

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BFR 360L3 E6765

  • Infineon Technologies
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  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.88366
883.66
15,000
¥0.64523
9678.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR360L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.035 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
14000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
14000 MHz
最大直流电集电极电流
0.035 A
Pd-功率耗散
210 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR360L3E6765XTMA1 BFR36L3E6765XT SP000013561
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 360L3 E6765的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2729GN-150
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
5:¥2,767.1666
参考库存:36999
MRFE6S9125NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
500:¥487.3238
参考库存:37004
D2224UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-7.2V-850MHz SE
100:¥206.7787
参考库存:37009
BFP740H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:21869
BFR92PE6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:72286
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