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射频晶体管
AFT05MP075NR1参考图片

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AFT05MP075NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
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数量单价合计
1
¥150.3013
150.3013
10
¥138.1538
1381.538
25
¥132.0857
3302.1425
50
¥124.4017
6220.085
500
¥100.8186
50409.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 40 V
增益
18.5 dB
输出功率
76 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 520 MHz
系列
AFT05MP075N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
7.3 S
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935317733528
单位重量
1.635 g
商品其它信息
优势价格,AFT05MP075NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
1:¥960.50
参考库存:39859
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:6524
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
1:¥93.7448
10:¥86.219
25:¥82.377
100:¥72.772
500:¥62.8506
参考库存:10886
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.54579
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.45313
参考库存:39868
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:120348
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