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射频晶体管
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CGH27030P

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
7 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
14 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
440196
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
NF—噪声系数
3 dB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格，CGH27030P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF3015-SM
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:3312
1214-150L
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,950.1136
参考库存:36164
MRF1K50H-TF3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,203.75
参考库存:2789
MRF275L
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
1:¥676.192
10:¥633.93
25:¥619.1044
50:¥604.3466
参考库存:36171
MMRF1306HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
1:¥1,970.2567
5:¥1,926.2997
10:¥1,886.9644
25:¥1,859.0647
50:¥1,791.5246
参考库存:36176
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