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射频晶体管
A2T18S260W12NR3参考图片

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A2T18S260W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
250
¥1,369.2097
342302.425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.7 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L-4
封装
Reel
工作频率
1.805 GHz to 1.88 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935313167528
单位重量
3.796 g
商品其它信息
优势价格，A2T18S260W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T20H160W04NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
参考库存:38913
DSC2G02C0L
Panasonic
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing
6,000:¥0.30736
9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:38918
TGF2952
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
50:¥232.667
100:¥201.2417
250:¥189.1846
500:¥177.8055
参考库存:38923
D1005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
1:¥751.9585
10:¥661.2082
25:¥587.7469
50:¥527.2015
参考库存:38928
PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:38933
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