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射频晶体管
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BLV25

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数量单价合计
1
¥1,224.6714
1224.6714
10
¥1,123.785
11237.85
25
¥1,008.525
25213.125
50
¥893.265
44663.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
17.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
108 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA127002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥7,143.2046
参考库存:39150
MAX2601ESA+
Maxim Integrated
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥34.4198
25:¥27.0522
50:¥23.3571
250:¥22.8938
1,000:¥20.7468
参考库存:6130
PTFB091507FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥518.67
参考库存:39157
MAX2602ESA+T
Maxim Integrated
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥44.6463
10:¥42.1038
25:¥33.6514
50:¥31.9677
2,500:¥21.5943
参考库存:39162
SD4933MR
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:6027
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