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射频晶体管
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TH430

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数量单价合计
1
¥636.8454
636.8454
10
¥584.3682
5843.682
25
¥524.433
13110.825
50
¥464.4978
23224.89
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
40 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M177
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
330 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TH430的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:17484
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.07576
15,000:¥0.791
参考库存:77676
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
暂无价格
参考库存:36068
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥422.4618
2:¥411.0149
5:¥399.6471
10:¥388.2002
参考库存:3058
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥5,122.4595
5:¥4,800.805
参考库存:2775
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