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射频晶体管
MRFG35003N6AT1参考图片

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MRFG35003N6AT1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
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数量单价合计
1
¥103.4289
103.4289
10
¥95.0556
950.556
25
¥90.8972
2272.43
100
¥80.2978
8029.78
1,000
¥63.619
63619
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 5 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
工作频率
3.55 GHz
产品
RF JFET
系列
MRFG35003N6AT1
类型
GaAs pHEMT
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
P1dB - 压缩点
3 W
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
935309639515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,MRFG35003N6AT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:37930
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:37935
射频晶体管
射频开发工具 QPQ1030 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:37940
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
500:¥109.6552
参考库存:6700
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥408.8679
250:¥408.8679
参考库存:37947
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