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晶体管
FGA15S125P参考图片

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FGA15S125P

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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1250 V
集电极—射极饱和电压
2.72 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
136 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA15S125P
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA15S125P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.7631
25:¥6.4523
100:¥5.9212
250:¥5.4805
2,000:¥5.4805
参考库存:29406
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:29411
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥49.946
10:¥41.4145
100:¥34.1147
250:¥33.0412
500:¥29.6625
1,000:¥29.6625
参考库存:11913
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:7150
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
1:¥17.3681
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:29420
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