您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SIHB16N50C-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SIHB16N50C-E3

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:11,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.946
49.946
10
¥41.4145
414.145
100
¥34.1147
3411.47
250
¥33.0412
8260.3
500
¥29.6625
14831.25
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
560 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
156 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB16N50C-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:7972
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN, NPN 60Vceo 1A 1.1W 200Hfe 150MHz
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.90626
参考库存:19764
晶体管
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.8A
1:¥2.9945
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
2,500:¥0.63732
参考库存:25666
晶体管
MOSFET 600V 1A N Channel Mosfet
1:¥5.1528
10:¥4.5313
100:¥3.4917
500:¥2.5764
2,500:¥1.8193
5,000:查看
参考库存:29403
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:34470
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号