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晶体管
VN2406L-G P013参考图片

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VN2406L-G P013

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数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.7631
77.631
25
¥6.4523
161.3075
100
¥5.9212
592.12
250
¥5.4805
1370.125
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Microchip Technology
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，VN2406L-G P013的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTB123TU-7-F
Diodes Incorporated
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25,000:¥0.3842
50,000:¥0.33787
100,000:¥0.32996
参考库存:44399
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