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晶体管

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FS75R17KE3

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库存:3,825(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,133.9324
1133.9324
5
¥1,111.6488
5558.244
10
¥1,059.8496
10598.496
25
¥1,037.566
25939.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
在25 C的连续集电极电流
130 A
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R17KE3BOSA1 SP000100436
商品其它信息
优势价格,FS75R17KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥5,082.6609
5:¥4,776.3744
参考库存:36045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:36050
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:36055
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥408.7097
2:¥397.5679
5:¥386.5843
10:¥375.5216
参考库存:36060
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥329.6436
5:¥313.123
10:¥304.8966
25:¥280.1609
参考库存:36065
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