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晶体管
BC858CLT1G参考图片

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BC858CLT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V PNP
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数量单价合计
1
¥0.92208
0.92208
10
¥0.78422
7.8422
100
¥0.27685
27.685
1,000
¥0.18419
184.19
3,000
¥0.14577
437.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.65 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC858CL
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
420
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BC858CLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFBA1405PPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:1599
NVMFS5C442NWFAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,500:¥3.2205
9,000:查看
参考库存:10111
SPW35N60C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥73.224
10:¥66.2406
25:¥63.0879
100:¥54.7824
参考库存:3338
IPN70R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:16090
DCX142JH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
3,000:¥0.65314
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:23595
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