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晶体管
NJVMJD42CT4G参考图片

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NJVMJD42CT4G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON Pwr TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.5822
55.822
100
¥4.294
429.4
500
¥3.7968
1898.4
1,000
¥2.9945
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD42C
直流电流增益 hFE 最大值
30 at 300 mA, 4 V
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1750 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
NJVMJD42CT4G-VF01
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,NJVMJD42CT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:33812
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:10249
晶体管
MOSFET 250V P-Channel QFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9947
1,000:¥5.5144
参考库存:8786
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:21818
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:23795
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