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晶体管
BC847BDW1T3G参考图片

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BC847BDW1T3G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V Dual NPN
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库存:165,157(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.1413
11.413
100
¥0.47686
47.686
1,000
¥0.32318
323.18
10,000
¥0.2147
2147
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.6 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC847BDW1
高度
0.9 mm
长度
2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,BC847BDW1T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED TECH 1200V 3A
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
1,000:¥8.7575
参考库存:4198
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 HV package
1:¥16.4415
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
3,000:¥8.0682
参考库存:12110
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥6.7122
参考库存:13452
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:1039504
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥46.7142
10:¥42.262
25:¥40.2619
100:¥34.9622
参考库存:12611
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