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晶体管
CSD25483F4T参考图片

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CSD25483F4T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V,P-Ch FemtoFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.96841
96.841
250
¥0.96841
242.1025
1,000
¥0.7458
745.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.07 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
960 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD25483F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.4 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25483F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25:¥71.3821
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