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晶体管
STGW60V60DF参考图片

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STGW60V60DF

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥41.0303
410.303
100
¥35.5724
3557.24
250
¥33.7305
8432.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW60V60DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW60V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Power Transistor
1:¥7.3789
10:¥6.3167
100:¥4.859
500:¥4.2827
4,000:¥3.0058
8,000:查看
参考库存:40375
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:82842
晶体管
MOSFET 400V 25Ohm
1:¥10.2152
10:¥10.0683
25:¥8.6106
100:¥7.7631
参考库存:11429
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 100V TR
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:34526
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
4,000:¥0.54579
参考库存:211898
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