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晶体管
BSZ0910NDXTMA1参考图片

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BSZ0910NDXTMA1

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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1472
614.72
500
¥5.4353
2717.65
5,000
¥3.8081
19040.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-WISON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
9.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.5 ns
典型接通延迟时间
6.2 ns
零件号别名
BSZ0910ND SP001699886
商品其它信息
优势价格,BSZ0910NDXTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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3,000:¥4.9381
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6,000:查看
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10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
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晶体管
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1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
1,500:¥3.9211
参考库存:89798
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