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晶体管
NGTB30N120FL2WG参考图片

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NGTB30N120FL2WG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 1200V/30A FAST IGBT FSII
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库存:5,577(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.5455
62.5455
10
¥56.5565
565.565
25
¥53.9462
1348.655
100
¥46.7933
4679.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
452 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGTB30N120FL2
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N120FL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.4469
10:¥9.5259
25:¥7.91
100:¥7.2207
2,000:¥4.6556
参考库存:24623
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥1,353.8417
5:¥1,321.2638
10:¥1,288.4486
25:¥1,270.3912
参考库存:2195
晶体管
MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
1:¥4.068
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:1127127
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
500:¥14.4414
参考库存:3329
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5240T/TO-236AB/REEL 11" Q3
10,000:¥0.52997
20,000:¥0.49946
50,000:¥0.44522
100,000:¥0.43053
参考库存:24634
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