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晶体管
IRFS31N20DTRLP参考图片

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IRFS31N20DTRLP

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
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数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.4469
1144.69
500
¥9.9892
4994.6
800
¥8.2942
6635.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP001550114
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN10H170SK3Q-13
Diodes Incorporated
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MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V
2,500:¥2.0453
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1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
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Diodes Incorporated
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1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,500:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:26789
2PC4081Q,135
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20,000:¥0.18419
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100,000:¥0.13786
参考库存:26794
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