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晶体管
DMN10H170SK3Q-13参考图片

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DMN10H170SK3Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V
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¥2.0453
5113.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42.6 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC4505CX RFG
Taiwan Semiconductor
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12,000:¥0.75258
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晶体管
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参考库存:34133

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