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晶体管
ZTX618STZ参考图片

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ZTX618STZ

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
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数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.164
316.4
1,000
¥2.5312
2531.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
210 mV
最大直流电集电极电流
3.5 A
增益带宽产品fT
140 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX618
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 170 at 3 A, 2 V, 40 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，ZTX618STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2907AUB
Optek / TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP G.P. Transistor 3 Pin
1:¥160.8216
10:¥156.9118
100:¥154.0642
250:¥148.3012
参考库存:2660
HAT2166H-EL-E
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:13852
STGFW30V60DF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:2564
STL260N3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:40011
BDP 948 H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:3658
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